Conclusion
Matériaux semiconducteurs à grand gap : le carbure de silicium (SiC)

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Conclusion
Matériaux semiconducteurs à grand gap : le carbure de silicium (SiC)

Auteur(s) : Jean Camassel, Sylvie Contreras

Relu et validé le 4 décembre 2017 | Read in english

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6. Conclusion

Les enjeux économiques liés aux applications d'électronique de puissance fonctionnant à haute température, haute tension et forte puissance sont aujourd'hui clairement identifiés. Mis à part le marché des très hautes tensions, ils reposent surtout sur la technologie et le développement du marché des véhicules électriques et électriques hybrides. Pour les véhicules purement électriques, la nécessité d'effectuer une recharge des batteries le plus rapidement (c'est-à-dire le plus efficacement) possible est un argument de vente. Pour les véhicules hybrides, celle de pouvoir interconnecter rapidement des puissances motrices importantes (thermiques et électriques) est une nécessité.

En 2001, les premières diodes Schottky SiC étaient commercialisées. Dix ans plus tard, c'était au tour du MOSFET. En parallèle, le diamètre des plaques est passé de 3 à 6 in et le coût de...

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