2. SiC ou nitrures d'éléments V ?
Outre le SiC, une filière souvent citée pour les applications d'électronique de puissance est la filière des nitrures d'éléments V. Outre le nitrure de gallium (GaN) elle comprend les nitrures d'éléments associés (AlN et InN) et leurs alliages (AlGaN et InGaN). Dans cette filière, GaN est un semi-conducteur à gap direct qui, à ce titre, a depuis longtemps supplanté SiC pour toutes les applications d'émission bleue. Paradoxalement, on notera cependant que ce marché reste encore porteur pour SiC dont les substrats sont souvent utilisés pour améliorer le rendement des composants superbrillants.
Pour les applications d'électronique de puissance proprement dites, la filière GaN présente par contre trois inconvénients majeurs : i°) l'absence d'oxyde natif (qui pénalise la fabrication des dispositifs MOS) ; ii°) l'absence de substrats de GaN massif de grande dimension...
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SiC ou nitrures d'éléments V ?
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