3. Conclusion
La compétition entre technologies « tubes » et « état solide » existe depuis les années 1970, et la frontière qui les sépare évolue lentement dans le temps vers des puissances et des fréquences plus élevées, en faveur des solutions état solide. Cette progression n’a jamais été linéaire, elle subit des paliers correspondant aux apparitions successives du silicium bipolaire, du silicium MOS, des transistors à effet de champ en GaAs et à présent en GaN pour ne citer que les principales étapes. Nous entrons aujourd’hui dans l’ère du GaN, qui comme c’est probable durera une ou deux décennies. De leur côté, les tubes ont fait d’énormes progrès notamment en fréquence et en rendement, mais ils restent une technologie coûteuse dont l’usage doit se justifier par des besoins spécifiques.
Dans quelques rares domaines, les tubes sont la solution exclusive du fait des...
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