4. Conclusion
Parmi les semiconducteurs III-V, la filière nitrure de gallium a connu son essor au cours des années 1990. Avec les améliorations de la qualité du matériau au niveau de la croissance, et celle de la qualité cristalline, elle est parfaitement adaptée à la réalisation de dispositifs de puissance nécessitant des tensions de fonctionnement élevées, grâce au champ de claquage important lié au grand gap. La discontinuité importante de la bande de conduction au niveau de l’hétérojonction AlGaN/GaN, AlInN/GaN, AlN/GaN ou ScAlN/GaN, ainsi que la vitesse de saturation élevée des électrons dans ces matériaux, constituent également des atouts pour la puissance, grâce aux forts courants associés.
La spécificité de ces matériaux est la présence de polarisations spontanée et piézoélectrique élevées, qui rendent inutile le dopage de la zone de barrière. Les substrats les plus utilisés...
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