2. Hétéroépitaxie des matériaux III-N
2.1 Substrats utilisés
Le choix du substrat est déterminant pour ce qui concerne la qualité de l’hétéroépitaxie . La croissance des matériaux III-N est possible sur différents types de substrats. L’idéal est d’assurer directement la croissance du nitrure de gallium sur un substrat de GaN massif , afin de réduire les défauts structuraux : on parle alors de croissance homomorphique . Néanmoins, pour la plupart des applications, la nature du substrat hôte est différente de la couche épitaxiée. On parle alors de croissance métamorphique car, dans le cas du GaN, il n’existe...
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Hétéroépitaxie des matériaux III-N
Aspects environnementaux
Sources bibliographiques
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