1. Propriétés physiques des matériaux III-N
1.1 Structure cristalline
Les matériaux semiconducteurs III-V de la filière nitrure de gallium sont composés d’éléments des colonnes 3 et 5 de la classification périodique de Mendeleïev. Ils peuvent être synthétisés sous trois formes cristallographiques différentes (figure 1) :
wurtzite ;
zinc-blende ;
sel gemme.
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Propriétés physiques des matériaux III-N
Hétéroépitaxie des matériaux III-N
Sources bibliographiques
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Article inclus dans l'offre
"Électronique"
(
496 articles
)
Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.
Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.
Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.
Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.
