Procédés technologiques des dispositifs de type HEMT
Dispositifs HEMT à base de GaN - Technologie et caractérisation

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Procédés technologiques des dispositifs de type HEMT
Dispositifs HEMT à base de GaN - Technologie et caractérisation

Auteur(s) : Jean-Claude DE JAEGER

Date de publication : 10 novembre 2017 | Read in english

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2. Procédés technologiques des dispositifs de type HEMT

Pour mettre en œuvre la technologie des transistors de type HEMT, deux procédés de lithographie sont utilisés pour conduire les différentes étapes : la lithographie optique qui permet de réaliser des grilles de longueur allant jusqu’à environ 1 µm et la lithographie électronique qui est un outil de pointe pour la conception de grilles submicrométriques. Cette dernière technique permet l’écriture de motifs avec une résolution allant jusqu’à la dizaine de nanomètres. On utilise un jeu de masques comprenant plusieurs niveaux d’écriture, correspondant aux différentes étapes de fabrication des HEMTs. La figure  9 représente un composant HEMT en fin...

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