5. Conclusion
Cet article, en guise d’introduction à la physique des composants à semi-conducteur de puissance, permet de saisir les mécanismes fondamentaux de fonctionnement. La microélectronique de puissance a su développer des technologies (grand gap) et des composants (IGBT) qui la distingue des technologies de signal (FinFET par exemple) sans pour autant partager de similitudes fortes (le GaN a initialement trouvé sa première application commerciale en RF). Chaque structure a son domaine d’application donnée à la figure 57 qui dépend essentiellement du mécanisme de conduction employé (unipolaire ou bipolaire). Le développement de matériaux à large bande interdite permettra de repousser ces limites une fois que la fabrication,...
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