Phénomènes physiques mis en jeu dans les composants à semi-conducteur de puissance
Introduction aux composants de microélectronique de puissance

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Phénomènes physiques mis en jeu dans les composants à semi-conducteur de puissance
Introduction aux composants de microélectronique de puissance

Auteur(s) : Luong Viêt PHUNG

Date de publication : 10 juin 2019 | Read in english

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2. Phénomènes physiques mis en jeu dans les composants à semi-conducteur de puissance

Le comportement des composants électriques est complexe à étudier et il est difficile d’ignorer les notions de la physique du semi-conducteur pour appréhender leur fonctionnement. En effet, leurs performances et leurs imperfections sont déterminées par les lois de cette même physique.

Les matériaux tels que le silicium (Si), le germanium (Ge), mais aussi le carbone (C), ont pour point commun de partager la proximité de la colonne du tableau périodique . Le silicium est un élément de valence 4, ce qui signifie qu’il possède 4 électrons libres sur sa dernière couche  ; il est donc dit tétravalent.

Les éléments bore (B) et phosphore (P) étant situés dans les colonnes voisines, il leur est possible, lorsqu’ils sont introduits en faible proportion dans le matériau...

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