4. Description du procédé
Le mode de synthèse de la solution PZT garantit un processus répétable de réalisation de films minces à forte constante diélectrique grâce à l’utilisation d’une solution sol-gel stabilisée .
Le procédé développé concerne aussi l’application de cette solution sur des wafers de silicium métallisés dans le but d’obtenir des revêtements à forte constante diélectrique avec le minimum de couches déposées et dans un temps de process minimisé.
4.1 Préparation de la solution sol-gel PZT
La synthèse commence par la préparation du précurseur à base de plomb. Typiquement, le précurseur est choisi parmi les sels organiques du plomb, comme l’acétate de plomb qui...
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