4. Synthèse comparative et évolutions
Une synthèse comparative des transistors à hétérojonction les plus développés (HEMT, PHEMT GaAs, InP et TBH GaAs) et leur situation par rapport aux autres technologies (MESFET GaAs, bipolaire silicium...) sont présentées dans le tableau 4 . On peut y ajouter les commentaires généraux qui suivent.
La technologie MESFET GaAs (sans hétérojonction) s’est établie solidement sur le marché des composants et circuits micro-ondes où elle continue à progresser. Elle l’a fait plus lentement, et sous une forme encore fragile, sur celui des circuits numériques haute vitesse. Il s’agit encore actuellement d’un marché restreint mais qui semble à un tournant (apparition de circuits LSI, et même VLSI, à coût modéré et faible consommation, mais surtout transistors et circuits pour les marchés de masse...
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Synthèse comparative et évolutions
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