2. Transistors à effet de champ à hétérojonction
L’utilisation d’une hétérojonction à dopage dit modulé, grand gap (dopé N) - faible gap (non dopé), est à la base de la plupart des transistors à effet de champ à hétérojonction. Le principe d’une telle hétérojonction a été proposé par les Bell Laboratories à la fin des années 1970. Son intérêt est illustré ci-après dans le cas particulier, actuellement le plus courant, du transistor HEMT ou TEGFET GaAlAs(N)/GaAs(n.d.), introduit simultanément par Fujitsu et Thomson-CSF au début des années 1980 sous deux noms différents HEMT (High Electron Mobility Transistor ) et TEGFET (Two-dimensional Electron Gas Field Effect Transistor ).
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Transistors à effet de champ à hétérojonction
Transistors bipolaires à hétérojonction
Références bibliographiques
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