3. Transistors bipolaires à hétérojonction
L’utilisation d’une hétérojonction grand gap - petit gap comme jonction émetteur-base d’un transistor bipolaire permet d’en améliorer notablement les performances. Bien que l’idée en soit ancienne, sa mise en œuvre n’a pu se faire de façon convaincante qu’après développement, au début des années 1980, des techniques d’épitaxie modernes EJM et EOM. Ce type de composant est présenté ci-après dans le cas particulier, actuellement le plus courant, du couple de matériaux GaAlAs/GaAs.
3.1 Transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs(N)/GaAs(p) (TBH)
Le TBH GaAlAs/GaAs (HBT en anglais) est un transistor bipolaire dont l’émetteur en Ga1–x Alx As (x voisin de 30 % typiquement) possède une bande interdite plus grande que celle de la base en GaAs (cf. structure...
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Transistors bipolaires à hétérojonction
Synthèse comparative et évolutions
Références bibliographiques
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