3. Modulateur optique par Effet Stark Confiné Quantiquement dans les structures à puits quantiques Ge/SiGe
3.1 Contexte
La réalisation d'un modulateur optique en silicium utilisant la déplétion de porteurs et présentant une grande bande passante optique (c'est-à-dire excluant les structures résonantes) nécessite l'utilisation d'une région active de plusieurs mm de long, créant une consommation électrique non négligeable. La réalisation d'un modulateur compact ne sera possible qu'en proposant des concepts innovants, en rupture avec les technologies actuelles. Dans cette perspective, nous menons des recherches depuis 2009 sur les propriétés optiques liées à la bande interdite directe dans des structures à puits quantiques Ge/SiGe. L'objectif est d'étudier la variation du coefficient d'absorption pour réaliser des modulateurs optiques.
L'effet exploité est l'Effet Stark...
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Modulateur optique par Effet Stark Confiné Quantiquement dans les structures à puits quantiques Ge/SiGe
Conclusion, perspectives
Sources bibliographiques
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