7. Conclusion
Dans cet article sont présentées diverses caractéristiques du phénomène de dégradation induite par le potentiel (PID), pour différentes filières technologiques et à différentes échelles, en particulier pour les cellules en silicium cristallin , ainsi que différentes méthodes de caractérisation. En étudiant la réversibilité d’une cellule ou d’un module atteint par la dégradation induite par le potentiel, on observe que la récupération n’est jamais complète en termes de puissance ou résistance shunt. Les modules ou cellules sensibles au PID ayant subi un recouvrement, présentent une faible récupération de la résistance shunt et une récupération plus conséquente de la puissance, mais semblent plus souvent sujets à plusieurs effets néfastes sur les modules, tels que des points chauds et l’apparition des diodes défectueuses.
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