Nanoélectronique : un passeport pour le nanomonde : Bibliographie

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Nanoélectronique : un passeport pour le nanomonde

Auteur(s) : Olivier VANBÉSIEN

Date de publication : 10 février 2005 | Read in english

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5.

Références LE ROY (M.) LHEURETTE (E.) VANBÉSIEN (O.) LIPPENS (D.) Wave-mechanical calculations of leakage current through stacked dielectrics for nanotransistor Metal-Oxide-Semiconductor design. J. Appl. Phys., 93 , n ^o 5, 2966-71 (2003). WICHMANN (N.) DUSZYNSKI (I.) WALLART (X.) BOLLAERT (S.) CAPPY (A.) InAlAs-InGaAs double-gate HEMTs on transferred substrate. IEEE Electron. Device Letters, 25 (6), 354-6 (2004). GAIDIS (M.C.) PICKETT (H.M.) SMITH (C.D.) et coll A 2.5 THz receiver...

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(1) - LE ROY (M.), LHEURETTE (E.), VANBÉSIEN (O.), LIPPENS (D.) - Wave-mechanical calculations of leakage current through stacked dielectrics for nanotransistor Metal-Oxide-Semiconductor design. - J. Appl. Phys., 93 , n ^o 5, 2966-71 (2003)....

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