3. Perspectives et évolutions
La première utilisation industrielle de l’ALD en microélectronique peut être datée de 2007, avec l’introduction du HfO 2 de grille dans les transistors Intel au nœud 45 nm. Bien que cette technique ait été disponible depuis 1998, les industriels de la microélectronique étaient sceptiques quant à son utilisation en production. Lorsque le choix du HfO 2 en diélectrique de grille a été arrêté au début des années 2000, les fabricants ont d’abord tenté de l’obtenir par pulvérisation cathodique (PVD), en raison de sa rentabilité à la fabrication, d’un temps de dépôt plus court, et d’une maintenance moins coûteuse. Toutefois, tous les essais en PVD ont conduit à la formation d’un film de HfO 2 de moins bonne qualité électrique, soit lacunaire, soit avec impact...
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Perspectives et évolutions
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