Présentation
RÉSUMÉ
Pour affiner la compréhension et le contrôle des mécanismes de croissance qui gouvernent le processus de dépôt ALD, les techniques de caractérisation in situ constituent des voies d’investigation de premier ordre. Dans cet article, les différentes techniques utilisées seront présentées en fonction de l’information apportée pour la connaissance du procédé de dépôt ALD : en premier lieu, pour la détermination de la fenêtre de dépôt ALD, puis pour la détermination des mécanismes réactionnels, et enfin pour la corrélation avec les propriétés des films élaborés.
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Lire l'articleAUTEUR(S)
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Jean-Luc DESCHANVRES : Chargé de Recherche CNRS - Affiliation Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique (LMGP) - Université Grenoble Alpes, LMGP, F-38000 Grenoble, France ; CNRS, LMGP, F-38000 Grenoble, FRANCE.
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Carmen JIMENEZ : Ingénieur de Recherche CNRS - Affiliation Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique (LMGP) - Université Grenoble Alpes, LMGP, F-38000 Grenoble, France ; CNRS, LMGP, F-38000 Grenoble, FRANCE.
INTRODUCTION
Domaine : Innovation,
Degré de diffusion de la technologie : Émergence | Croissance | Maturité Technologies impliquées : Atomic Layer Deposition (ALD)
Domaines d’application : Microélectronique, énergie, OLED, santé,
Principaux acteurs français :
Pôles de compétitivité : Minalogic, Tenerrdis
Centres de compétence : OMNT ( https://www.omnt.fr/fr/ )
Industriels : Équipementier (Encapsulix, Annealsys, Picosun, Beneq)
Autres acteurs dans le monde :
Contact : [email protected] ; [email protected]
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MOTS-CLÉS
Mécanismes réactionnels | déposition atomique par flux alterné | caractérisation in situ | micro-balance à quartz
DOI (DIGITAL OBJECT IDENTIFIER)
Apport de la caractérisation in situ dans les procédés ALD
Contexte
Sources bibliographiques
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