Enjeux pour une simulation de l’ALD
Simulation à l'échelle atomique en ALD des oxydes ultra-minces

Le procédé ALD repose fondamentalement sur une maîtrise de la chimie des interactions réduites à de plus simples expressions, donc plus contrôlables, comparativement aux techniques plus classiques de dépôt en phase vapeur « non pulsées ». En effet, l’ALD s’appuie sur des réactions auto--limitées d’un gaz mono-moléculaire avec un substrat dont la surface présente des terminaisons chimiques idoines. Ceci permet, en toute rigueur, de réaliser le dépôt d’une monocouche atomique à chaque cycle ALD. Ainsi, des réactions en phase gaz sont proscrites et les réactions de surfaces doivent en principe se limiter à quelques réactions type. De plus, des phases de purge entre les étapes de dépôt permettent de travailler dans des conditions optimales de propreté et d’éviter les interactions en phase gaz.

Une problématique essentielle des couches ultra-minces réside dans leur capacité...