1. Principe général de l’ALD
L’ Atomic Layer Deposition (ALD) trouve son origine dans les travaux soviétiques des années 1960, où S. I. Koltsov et V. B. Aleskovsky développèrent le concept de Molecular Layering (ML), fondé sur des réactions de surface successives et auto-limitantes.
Indépendamment, dans les années 1970, T. Suntola et son équipe en Finlande mirent au point un procédé similaire, l’ Atomic Layer Epitaxy (ALE), pour la fabrication de panneaux électroluminescents à base de ZnS. Ce principe, consistant à déposer la matière couche atomique par couche atomique, permet un contrôle inédit de l’épaisseur et de la qualité des films, ouvrant la voie à des applications industrielles.
Dans les années 1980 et 1990, l’ALD s’impose peu à peu...
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Principe général de l’ALD
Matériaux, impact environnemental et évolutions de l’ALD
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