Aspects environnementaux
Dispositifs HEMT à base de GaN - Matériaux et épitaxie

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E1995 V3 Article de référence

Aspects environnementaux
Dispositifs HEMT à base de GaN - Matériaux et épitaxie

Auteur(s) : Jean-Claude DE JAEGER

Date de publication : 10 mars 2024 | Read in english

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3. Aspects environnementaux

Associé à un substrat carbure de silicium à haute conductivité thermique, le nitrure de gallium apporte aux applications de puissance des avantages considérables :

  • une tenue en tension de cinq à dix fois supérieure aux semiconducteurs traditionnels ;

  • une meilleure dissipation thermique.

Ce semiconducteur permet de réaliser des composants qui allient tension de claquage, mobilité électronique et courant élevés. Les applications des dispositifs GaN dédiés à la RF ou à l’EP permettent généralement une baisse des coûts, et de la consommation d’énergie, qui se traduit par une diminution des émissions de gaz à effet de serre.

Au-delà de la résilience aux radiations, pour les applications satellitaires, les dispositifs GaN offrent des performances électriques...

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