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Dispositifs HEMT à base de GaN - Matériaux et épitaxie

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E1995 V3 Article de référence

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Dispositifs HEMT à base de GaN - Matériaux et épitaxie

Auteur(s) : Jean-Claude DE JAEGER

Date de publication : 10 mars 2024 | Read in english

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5. Glossaire

Coefficient de dilatation thermique  ; coefficient of thermal expansion

Mesure l’augmentation relative de volume d’un semiconducteur lorsque l’on fait varier la température.

Conductivité thermique  ; thermal conductivity

Énergie (quantité de chaleur) transférée par unité de surface et de temps sous un gradient de température de 1 K · m −1 .

Croissance homomorphique  ; homomorphic growth

Croissance des matériaux épitaxiés en accord de maille sur le substrat, le paramètre cristallin est alors identique pour tous les matériaux.

Croissance pseudomorphique...

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