6. Conclusion
La microscopie d’orientation évolue sans cesse avec un champ des possibilités qui s’élargit pour toutes les caractérisations exploitant la diffraction électronique dans un MEB, que ce soit avec l’EBSD haute résolution angulaire et la cross-corrélation, l’EBSD 3D, la TKD (Transmission Kikuchi Diffraction), le STEM in SEM (Scanning Transmission Electron Microscopy in SEM) et l’A-ECCI (Accurate Electron Channeling Contraste Imaging ou imagerie par contraste de canalisation des électrons). L’ECCI en particulier, après de nombreuses années sans réelle avancée due essentiellement au développement fulgurant de la technique EBSD totalement automatisée et plus pratique à mettre en œuvre, revient en force avec l’évolution des colonnes électroniques (sources de haute brillance avec des faisceaux d’électrons intenses, fins, quasi parallèles) et des détecteurs d’électrons beaucoup plus performants.
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