2. Technologie de mise en œuvre
2.1 Substrats
Le besoin de réaliser, de façon industrielle, des composants à base de SiC a conduit très rapidement de nombreux utilisateurs potentiels à intensifier leurs efforts pour essayer de produire (en interne) des substrats de qualité « électronique ». Dans ce cadre, le but minimal à atteindre est un diamètre de 50 mm (» 2²) et une densité moyenne de macrodéfauts (micropipes) inférieure à 0,1 par cm2.
Outre les groupes précédemment cités (par exemple, Northrop Grumman et Cree Research Inc. aux États-Unis, Toyota et Nippon Steel au Japon, Siemens en Allemagne), on trouve dans ce domaine, Epitronics aux États-Unis, Okmetic en Finlande et, plus récemment, SiCrystal en Allemagne. En fait, le plus souvent, la production n’est pas disponible. C’est le cas par exemple...
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