Sommaire
1. Utilisation d’un plasma
2. Rappel technique du vide et du plasma
2.1 Généralités
2.2 Plasmas à excitation homogène
2.3 Plasmas à excitation hétérogène
3. Méthodes de mise en plasma de la matière
3.1 Évaporation
3.2 Pulvérisation cathodique
3.3 Évaporation à l’anode d’un arc non autonome
3.4 Évaporation à la cathode d’un arc (Cathodic Arc Evaporation CAE) 3.5 Ablation laser
3.6 Arc guidé
3.7 Évaporation externe
4. Transport de la matière des sources aux pièces
4.1 Uniformité et rendement du dépôt
4.2 Amélioration
4.3 Ionisation de la matière
4.4 Ionisation et dissociation des gaz réactifs
5. Dépôt à partir d’un plasma
6. Conclusion
Pour en savoir plus
Les techniques de dépôt sous vide par procédés plasma ont connu un essor important au cours des décennies passées, aussi bien sur le plan technologique, avec l’introduction de plusieurs nouvelles sources, que du point de vue des applications, où le chiffre d’affaires dans les secteurs de la mécanique est passé de 20 millions € en 1985 à 3 milliards aujourd’hui. Depuis les années 1970, les procédés plasma ont remplacé les dépôts sous vide sans plasma dans la plupart des applications, notamment la décoration et les revêtements destinés aux domaines de l’optique. Les revêtements pour les applications mécaniques et la fabrication d’outils en particulier ne sont devenus envisageables qu’avec les procédés plasmas qui assurent le respect de deux exigences incontournables de ces applications : l’adhérence sur le substrat et une absence de porosité qui diminuerait la ténacité.
On distingue deux familles de procédés de dépôt à partir de la phase vapeur : le dépôt par voie physique (ou PVD pour Physical Vapor Deposition) et le dépôt par voie chimique (ou CVD pour Chemical Vapor Deposition). Dans le cas du PVD, le matériau est mis en vapeur sous vide à partir d’une source, qui se trouve dans l’enceinte de dépôt ; dans le cas du CVD, des vapeurs sont admises dans l’enceinte et réagissent avec les surfaces des pièces à revêtir pour former un dépôt. Les méthodes décrites dans cet article sont les suivantes :