De la gestion des contraintes de commutation à la commutation douce

Une des conclusions fondamentales de l'étude d'une cellule de commutation composée de deux interrupteurs, deux sources et d'aucun élément réactif est que le point de fonctionnement de l'interrupteur commandé doit traverser une zone du plan (v   _K   , i    _K  ) en passant par le point (V,  I ) correspondant à une puissance instantanée très importante pendant la durée de la commutation (cf.  [D 3 076] , § 2). Afin de limiter les pertes correspondant à ce trajet dans la zone dissipative appelées pertes par commutation , il est important de réaliser cette commutation le plus rapidement possible. La vitesse de commutation dépend notamment des caractéristiques des semi-conducteurs et de la manière dont ils sont commandés, et l'amélioration de cette caractéristique constitue un des objectifs principaux de l'évolution technologique des semi-conducteurs. Il faut cependant noter que l'augmentation des d V/  d t et d I /  d t conduit respectivement à une augmentation des courants induits dans les capacités parasites et des tensions induites dans les mailles des circuits environnants créant ainsi un certain nombre d'interactions généralement indésirables regroupées sous le terme générique de compatibilité électro-magnétique (CEM) . Par conséquent, même si l'augmentation des vitesses de commutation constitue un moyen de réduire les pertes par commutation, il serait dangereux d'aller trop loin dans cette voie. Cela est d'autant plus vrai que les commutations rapides accentuent les phénomènes résultant des imperfections des composants (courant de recouvrement des diodes en particulier) susceptibles d'entraîner des pertes supplémentaires et d'exciter des modes oscillatoires rapides. D'autres moyens de réduire les pertes par commutation dans les semi-conducteurs ont ainsi été envisagés.

• Les circuits d'aide à la commutation ne réduisent d'ailleurs pas véritablement les pertes par commutation mais les transfèrent...