2. IGBT (Insulated-Gate-Bipolar-Transistor)
Introduits dans l’article (§ 1.2), les transistors IGBT sont des dispositifs mixtes dont la structure dérive de celle des transistors MOS de puissance par substitution d’un émetteur P à la région N + de drain. Cet émetteur a pour fonction d’injecter dans la région faiblement dopée N − des porteurs minoritaires (trous) afin d’assurer, dans l’état passant, la modulation de conductivité qui fait défaut aux composants MOS purs. Ainsi peuvent être conjuguées, dans certaines limites, des qualités complémentaires des transistors MOS (commande « isolée », stabilité thermique latérale) et des transistors bipolaires (« bon compromis » entre tension bloquée et courant passant), ce qui permet aux IGBT de remplacer avec avantage ces composants dans leurs utilisations limites et de les relayer dans les domaines des fortes tensions (gamme des kilovolts). La technologie...
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IGBT (Insulated-Gate-Bipolar-Transistor)
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