1. Transistors MOS (Métal-Oxyde-Semiconducteur)
Les transistors de puissance à effet de champ Métal-Oxyde-Semiconducteur mettent en jeu les mêmes principes physiques que les composants MOS de la microélectronique (cf. article , § 2.4). La structure est toutefois différente, pour répondre aux exigences de capacité en courant et de tenue en tension propres aux applications de puissance, avec pour aménagements principaux :
l’intégration en parallèle, dans un cristal unique, d’un nombre suffisant de cellules élémentaires toutes identiques, connectées aux mêmes contacts terminaux de source, de grille et de drain (capacité en courant) ;
l’incorporation dans la jonction de drain d’une région large et peu dopée dans laquelle peut se développer la charge d’espace...
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Transistors MOS (Métal-Oxyde-Semiconducteur)
IGBT (Insulated-Gate-Bipolar-Transistor)
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