Vers la mémoire idéale
Évolution des mémoires à semi-conducteurs à accès aléatoire

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Vers la mémoire idéale
Évolution des mémoires à semi-conducteurs à accès aléatoire

Auteur(s) : Philippe DARCHE

Relu et validé le 5 janvier 2021 | Read in english

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7. Vers la mémoire idéale

Une association professionnelle, l’ITRS ( International Technology Roadmap for Semiconductors ), représentant les principales associations professionnelles du secteur, publie un rapport tous les deux ans donnant des prévisions sur le futur des semi-conducteurs. Les technologies actuelles de fabrication des circuits intégrés atteignent leurs limites. Il y a ce que les spécialistes nomment le mur de briques rouges qui représente la limite physique de la finesse de la gravure. La définition de la finesse de gravure est différente selon le type de composant. Ainsi, pour la mémoire EEPROM flash, il s’agit de la distance minimale entre deux pistes en polysilicium. Par contre, pour la mémoire et le MPU ( MicroProcessor Unit ), il s’agit de la distance minimale entre deux pistes en métal M1 à partir de laquelle l’ITRS...

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