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Professeur émérite à l’Université de Lille, France - Groupe Composants et Dispositifs Micro-ondes de Puissance à l’Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), - UMR CNRS 8520, Villeneuve-d’Ascq, France
Les Transistors à Haute Mobilité Electronique sont particulièrement adaptés à l’application de puissance hyperfréquence et à l'électronique de puissance. Découvrez leurs fonctionnements, leurs structures épitaxiales, et leurs limitations physiques et thermiques, ainsi que leurs différentes méthodes de caractérisation.
Les semiconducteurs grand gap, à base notamment de GaN, possèdent des propriétés intéressantes pour des applications en électronique de puissance et en hyperfréquence. Découvrez les spécificités de ces matériaux et les techniques d'obtention des hétérostructures associées.
Découvrez les caractéristiques des transistors HEMT et comment cela les rend particulièrement adaptés à l'électronique de puissance. Comment sont-ils conçus et produits et comment les caractérise-t-on ?
Les semiconducteurs grand gap, à base notamment de GaN ont des propriétés intéressantes pour des applications en électronique de puissance et hyperfréquence. Découvrez les caractéristiques de ces matériaux et les techniques d'obtention de composants.
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