2. Les capacités MIM
La seconde application de l’ALD mise en production concerne les technologies analogiques et radiofréquences, avec l’introduction des capacités Métal/Isolant/Métal (MIM). Ces capacités sont introduites au niveau des interconnexions, entre deux lignes de cuivre (figure 5). Elles sont planaires, car une structure en tranchées prendrait la place de lignes d’interconnexions, ce qui n’est pas souhaitable pour les applications visées. Des tensions importantes sont appliquées à ce type de condensateur, de l’ordre de 5 V (à comparer aux 0,5 – 0,8 V appliqués dans les capacités DRAM). Les couches d’oxyde doivent être suffisamment épaisses, de l’ordre de 40-50 nm, pour...
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Les capacités MIM
Les transistors HKMG
Sources bibliographiques
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