8. Dépôt PEALD modifié pour l’augmentation de la cinétique de croissance de Ta2O5
Comme nous l’avons vu, la technique PEALD permet d’obtenir une vitesse de dépôt plus importante que l’ALD classique. De plus, il est possible de faire des dépôts par PEALD selon une deuxième méthode qui consiste à envoyer en continu le gaz du plasma (par exemple le dioxygène) et l’argon dans le réacteur (figure 18), et d’alterner des injections de précurseur (dilué dans l’argon) et des pulsations de radiofréquence. Il convient d’utiliser pour cette méthode un précurseur qui ne réagit pas en phase gazeuse avec l’oxygène atomique dans le domaine de températures considéré. L’utilisation d’un flux continu permet d’augmenter l’efficacité de la purge après l’injection de précurseur et l’injection d’oxydant. En effet, dans le cas d’une séquence ALD/PEALD standard...
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Dépôt PEALD modifié pour l’augmentation de la cinétique de croissance de Ta2O5
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