1. Structures à effet de champ de type HEMT
1.1 Description d’un composant HEMT
Le transistor à effet de champ a la particularité d’être unipolaire. Les seuls porteurs sont généralement les électrons, car ils ont une meilleure mobilité que les trous. Le principe de ce composant est basé sur l'existence d'un canal conducteur dont la conductance peut être modulée par application d'un champ électrique perpendiculaire à la direction du courant.
Un transistor à effet de champ (figure 1 ) est constitué d'un parallélépipède de semi-conducteur de type n, de trois contacts métalliques : deux contacts ohmiques permettant d’établir une connexion électrique avec le canal, et un contact Schottky établissant la...
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Structures à effet de champ de type HEMT
Procédés technologiques des dispositifs de type HEMT
Sources bibliographiques
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Article inclus dans l'offre
"Électronique"
(
494 articles
)
Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.
Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.
Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.
Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.
