Conclusion
Transistors bipolaires intégrés - Technologies BiCMOS silicium germanium

L’histoire du transistor bipolaire a commencé avec son invention en 1947. Dix ans plus tard, en 1957, le concept de transistor bipolaire à hétérojonction (TBH) a été découvert. Le premier TBH Si/SiGe n'a été cependant fabriqué qu’en 1987 et il a fallu une dizaine d’années supplémentaires pour voir apparaître en production la première technologie BiCMOS SiGe. Les avantages des transistors bipolaires par rapport aux transistors MOS ont conduit à l’utilisation de technologies bipolaires et BiCMOS dans de nombreuses applications, y compris dans les premiers microprocesseurs Pentium fabriqués par Intel en 1994 (utilisant une technologie BiCMOS Si 0,6 µm). Quant à la technologie BiCMOS SiGe, son âge d’or a été les années 2000 avec son utilisation massive dans les modules émetteur/récepteur RF des téléphones mobiles. L’évolution de la technologie CMOS, connue sous le nom de loi de Gordon Moore...