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Transistors bipolaires intégrés - Technologies BiCMOS silicium germanium

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Transistors bipolaires intégrés - Technologies BiCMOS silicium germanium

Auteur(s) : Pascal CHEVALIER

Date de publication : 10 janvier 2021 | Read in english

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6. Glossaire

BiCMOS ( Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor )

Technologies intégrant des transistors bipolaires avec des transistors à effet de champ CMOS de type n et de type p .

B-C ( Base-Collecteur )

Désigne la jonction éponyme.

BV ( Breakdown Voltage )

Tension de claquage (cf. sigles spécifiques aux tensions de claquage des transistors bipolaires).

CMOS ( Complementary Metal Oxide Semiconductor ...

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