Fonctionnement et caractéristiques électriques du transistor bipolaire
Transistors bipolaires intégrés - Technologies BiCMOS silicium germanium

Ajouter à la bibliothèque

E2427 V2 Article de référence

Fonctionnement et caractéristiques électriques du transistor bipolaire
Transistors bipolaires intégrés - Technologies BiCMOS silicium germanium

Auteur(s) : Pascal CHEVALIER

Date de publication : 10 janvier 2021 | Read in english

Ajouter à la bibliothèque Ajouter à la bibliothèque

Logo Techniques de l'Ingenieur Cet article est réservé aux abonnés
Cet article est offert jusqu'au 01/09/2026 Consulter en libre accès

Déjà abonné ?

1. Fonctionnement et caractéristiques électriques du transistor bipolaire

1.1 Fonctionnement

Le fonctionnement du composant est appréhendé en utilisant un transistor bipolaire NPN à homojonction, c’est-à-dire constitué d’un seul matériau comme le silicium. Ce composant actif est composé de deux jonctions PN montées tête-bêche, constituées chacune de trois zones principales dopées successivement N + , P et N. Ces régions sont appelées respectivement émetteur , base et collecteur . Dans ce paragraphe, nous donnons les principes de fonctionnement pour un transistor NPN dans un mode de fonctionnement direct, c’est-à-dire quand la jonction émetteur-base (E-B) est polarisée en direct (...

Cet article est réservé aux abonnés
Logo Techniques de l'Ingenieur

Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.

Déjà abonné ?


Article inclus dans l'offre

"Électronique"

( 494 articles )

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.

Services

Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.

Des modules pratiques

Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.

Des avantages inclus

Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.

Voir le détail de l'offre

Dans les ressources documentaires

MMIC : composants - Transistors, technologies et modélisation

Cet article traite des circuits intégrés microondes (MMIC). Il décrit les principes de fonctionnement des...

Dispositifs HEMT à base de GaN - Technologie et caractérisation

Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN dont le fonctio...

Composants bipolaires (thyristors, triacs, GTO, GCT et BJT) : circuits de commande

Cet article présente les principes de commande des principaux composants à semi-conducteur de puissance b...

Technologies CMOS - Transistor MOS

Cet article a pour objectif de fournir les bases de compréhension du fonctionnement des transistors de ty...

Tous les livres blancs
Toutes les actualités

Inscrivez-vous aux newsletters !

Contactez-nous