Matériaux pour composants hyperfréquences
Composants à semiconducteurs pour hyperfréquences

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Matériaux pour composants hyperfréquences
Composants à semiconducteurs pour hyperfréquences

Auteur(s) : Gilles DAMBRINE, Sylvain BOLLAERT

Date de publication : 10 novembre 2007 | Read in english

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1. Matériaux pour composants hyperfréquences

Les performances hyperfréquences (ou micro-ondes) d'un composant semiconducteur dépendent d'une part des propriétés physiques du matériau utilisé, et d'autre part de la topologie du composant et des mécanismes physiques fondamentaux qui en régissent le fonctionnement. Durant la dernière décennie, des progrès considérables ont été réalisés dans le domaine des matériaux semiconducteurs et des composants pour hyperfréquences grâce au développement des techniques d'épitaxie (épitaxie par jets moléculaires et en phase gazeuse par la méthode des organométalliques) et à l'utilisation de l'implantation ionique et de la lithographie par faisceau d'électrons. Cela a permis d'améliorer les performances électriques des composants usuels (transistors bipolaires, diodes) et de réaliser de nouveaux composants (transistors à hétérojonction).

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