3. Transistors à effet de champ à hétérojonction en GaN
Les matériaux à large bande interdite utilisant le nitrure de gallium et ses alliages possèdent de nombreuses propriétés physiques qui les placent comme les meilleurs candidats actuels pour les applications hyperfréquence où la puissance et la robustesse sont critiques.
Le nitrure de gallium et ses dérivés présentent une combinaison de propriétés physiques inégalée :
une forte largeur de bande interdite (3,4 eV) pour le GaN, pouvant dépasser 6 eV pour l'AlN,
une vitesse de saturation des porteurs supérieure à1x107 cm/s,
un champ électrique de claquage remarquable (3 MV/cm),
la possibilité d'obtenir des couches hétéroépitaxiales à base de GaN (AlGaN/GaN, InGaN/GaN, InAlN/GaN) avec de bonnes qualités de transport.
La capacité d'un matériau à être un bon candidat pour les applications...
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Transistors à effet de champ à hétérojonction en GaN
Transistors bipolaires à hétérojonction
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