2. Transistors à effet de champ à hétérojonction sur GaAs et InP
L'utilisation d'une hétérojonction entre matériaux grand gap (dopé N) et faible gap (non dopé), est à la base du fonctionnement des transistors à effet de champ à hétérojonction. Le principe d'une telle hétérojonction a été proposé par les Bell Laboratories à la fin des années 1970. Son intérêt est illustré ci-après dans le cas particulier du transistor HEMT GaAlAs (N)/GaAs (n.d.), qui est apparu au début des années 1980, avec une première démonstration faite par le Laboratoire Central de Recherche de Thomson-CSF, devenu Thales Research and Technology – Fr
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Transistors à effet de champ à hétérojonction sur GaAs et InP
Transistors à effet de champ à hétérojonction en GaN
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