5. Synthèse comparative et évolutions
Une synthèse comparative des transistors à hétérojonction les plus développés (HEMT GaN, P-HEMT et M-HEMT GaAs et InP et HBT GaAs et InP) est présentée dans le 3 . On peut y ajouter les commentaires généraux qui suivent.
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Synthèse comparative et évolutions
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