1. Matériaux et physique des hétérojonctions
1.1 Matériaux pour composants électroniques à hétérojonction
La nombreuse famille des semi-conducteurs III-V, dont GaAs, GaN et InP ne sont que les représentants les plus connus en microélectronique, comprend des alliages combinant, en proportions égales, des atomes de la colonne III (Al, Ga, In...) et de la colonne V (N, P, As, Sb...) du tableau périodique des éléments de Mendeleïev. Leur structure cristalline se présente le plus souvent sous la forme de deux sous-réseaux cubiques face centrée, constitués respectivement d'atomes de la colonne III et de la colonne V, et qui s'interpénètrent pour former un cristal du type zinc blende. Ce type de cristal est analogue au réseau du type diamant du silicium, dont il ne diffère que par le fait que les deux sous-réseaux sont ici constitués...
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Matériaux et physique des hétérojonctions
Transistors à effet de champ à hétérojonction sur GaAs et InP
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