2. Technologie des MMIC
L’objectif de cette présentation est de donner à un concepteur de circuits intégrés monolithiques micro-ondes les informations nécessaires pour comprendre l’origine des dispersions technologiques. Ces dispersions sont inhérentes à l’état d’un process à un moment donné et ne pourront en général pas être diminuées.
Ce paragraphe se rapporte à une technologie de MMIC sur GaAs à base de transistors à effet de champ . Cette technologie a été développée dans la partie arséniure de gallium d’un département Composants spécifiques de Thomson-CSF (maintenant Thales). Cependant, à chaque fois que cela sera possible, des indications seront données sur d’autres technologies. Cette partie ne prétend donc pas avoir un caractère exhaustif. En particulier, aucune indication n’est donnée sur les process de technologies de transistors bipolaires...
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Technologie des MMIC
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