Le carbure de silicium
SiC pour l’électronique de puissance du futur

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Le carbure de silicium
SiC pour l’électronique de puissance du futur

Auteur(s) : Franck NALLET

Date de publication : 10 mars 2002

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1. Le carbure de silicium

  • Aspects cristallographiques

    Une des particularités du carbure de silicium (SiC) est la multiplicité de ses formes cristallographiques, appelée polytypisme . Il existe environ 170 polytypes répertoriés de SiC, tous ne sont pas utilisés pour des applications électroniques. Les plus utilisés sont le 6H, le 4H (H pour hexagonal), le 3C (C pour cubique) et le 15R (R pour rhomboédrique). Cette nomenclature proposée par Ramsdell identifie chaque polytype en juxtaposant le nombre de plans cristallins compacts contenus dans une séquence et le type cristallographique. Le polytypisme du SiC résulte alors d’un double choix d’empilement des sphères (une sphère est la représentation simplifiée d’une liaison Si-C) d’un plan compact à l’autre. Trois positionnements relatifs des plans entre eux sont possibles...

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