3. Transistors à effet de champ à hétérojonction en GaN
Les matériaux à large bande interdite utilisant le nitrure de gallium et ses alliages possèdent de nombreuses propriétés physiques qui les placent comme les meilleurs candidats actuels pour les applications hyperfréquence où la puissance et la robustesse sont critiques.
Le nitrure de gallium et ses dérivés présentent une combinaison de propriétés physiques inégalée :
une forte largeur de bande interdite (3,4 eV) pour le GaN, pouvant dépasser 6 eV pour l'AlN,
une vitesse de saturation des porteurs supérieure à 1x10 7 cm/s,
un champ électrique de claquage remarquable (3 MV/cm),
la possibilité d'obtenir des couches hétéroépitaxiales à base de GaN...
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Transistors à effet de champ à hétérojonction en GaN
Transistors bipolaires à hétérojonction
Sources bibliographiques
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Article inclus dans l'offre
"Électronique"
(
494 articles
)
Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.
Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.
Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.
Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.
