3. Caractéristiques des transistors à grille en vue de leur commande
3.1 Influence du circuit de commande sur les performances des composants à grille
Les transistors MOSFET ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ), IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) et HEMT ( High Electron Mobility Transistor ) se commandent par l’application d’une tension entre les électrodes de grille et de source (appelée également émetteur dans le cas des IGBT). La quasi-totalité des IGBT et la plupart des transistors MOSFET de puissance sont à canal N. Habituellement, une tension d’environ 15 V est optimale pour rendre passant les transistors MOSFET et IGBT, voire 20 V pour ceux au SiC, alors que 5 V peuvent suffire pour les transistors...
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Caractéristiques des transistors à grille en vue de leur commande
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