4. Conclusions et perspectives
L'évolution des conditions d'utilisation des convertisseurs de puissance (densité de puissance de plus en plus élevées et ambiances de fonctionnement de plus en plus sévères) a favorisé le développement de composants semi-conducteurs à large bande interdite en général, et la filière SiC en particulier. Le fonctionnement possible de ces composants à haute température permet d'augmenter la densité de puissance tout en réduisant l'effort de refroidissement nécessaire, impliquant un gain considérable en termes de masse et de coût. Afin de définitivement profiter de toutes les potentialités des composants de puissance en SiC, il est nécessaire de développer des boîtiers spécifiques, la logique de commande de composants ainsi que des composants passifs tels que...
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Conclusions et perspectives