1. Contexte
La technologie SiC, considérée comme une perspective à long terme de la technologie silicium dans les années 1990, est en passe de proposer une alternative non concurrentielle à court terme pour la technologie silicium. En effet, cette nouvelle technologie s'adresse plus particulièrement aux applications spécifiques fonctionnant à haute tension et/ou à des températures élevées.
Les composants électroniques en SiC sont actuellement principalement développés pour une utilisation dans des applications :
devant fonctionner dans des conditions environnementales sévères (températures élevées > 600 ˚C) ;
devant fournir de fortes puissances pour des tensions élevées (quelques 10 kA, quelques 10 kV) ;
devant supporter des radiations intenses (par exemple, pour les applications spatiales).
Les gains potentiels liés à...
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