Protection contre les courts-circuits
MOSFET et IGBT : circuits de commande

Ajouter à la bibliothèque

D3233 V1 Article de référence

Protection contre les courts-circuits
MOSFET et IGBT : circuits de commande

Auteur(s) : Stéphane LEFEBVRE, Bernard MULTON

Date de publication : 10 août 2003 | Read in english

Ajouter à la bibliothèque Ajouter à la bibliothèque

Logo Techniques de l'Ingenieur Cet article est réservé aux abonnés
Pour explorer cet article plus en profondeur Consulter un extrait gratuit

Déjà abonné ?

2. Protection contre les courts-circuits

Le court-circuit est un dysfonctionnement très contraignant pour les composants à semi-conducteur de puissance (figure  4 ), car il leur impose en supportant simultanément de fortes tensions et de forts courants d’avoir une aire de sécurité suffisante et d’être capable de dissiper de façon transitoire des énergies très élevées. Dans l’exemple suivant, les transistors T 1 et T 5 d’un onduleur triphasé sont normalement passants, et un court-circuit apparaît au niveau de la charge. La tension d’alimentation se retrouve appliquée aux bornes des deux IGBT passants à travers la seule inductance de la maille de commutation. Le courant va donc croître très rapidement, avec une vitesse imposée par la tension...

Cet article est réservé aux abonnés
Logo Techniques de l'Ingenieur

Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.

Cet article est réservé aux abonnés Consulter un extrait gratuit

Déjà abonné ?


Lecture en cours
Protection contre les courts-circuits

Article inclus dans l'offre

"Conversion de l'énergie électrique"

( 441 articles )

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.

Services

Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.

Des modules pratiques

Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.

Des avantages inclus

Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.

Voir le détail de l'offre

Dans les ressources documentaires

Conception et fonctionnement des stations de conversion à thyristors

Les composants élémentaires ainsi que le fonctionnement des liaisons à courant continu à thyristors sont ...

Composants bipolaires (thyristors, triacs, GTO, GCT et BJT) : circuits de commande

Cet article présente les principes de commande des principaux composants à semi-conducteur de puissance b...

Tous les livres blancs
Article La loi de Moore est-elle dépassée ?
4 mai 2017
La loi de Moore est-elle dépassée ?

Depuis une trentaine d’années, la densité des transistors a doublé presque tous les deux ans. Mais alors qu’Intel remet en cause cette loi de Moore, des cherche...

Toutes les actualités

Inscrivez-vous aux newsletters !

Contactez-nous