4. Transistors high side
4.1 Problématique
Dans de nombreux cas, une isolation entre les circuits logiques de commande et le circuit de commande rapprochée est nécessaire (figure 11 ). Notamment, la commande d’un bras d’onduleur soulève le problème de la commande de l’interrupteur high side , la source de ce dernier se trouvant à un potentiel qui varie entre 0 V et U DC . Par high side (haut niveau de tension), on qualifie les transistors dont l’électrode de source pour les MOSFET ou d’émetteur pour les IGBT est placée à un potentiel flottant pouvant être...
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Transistors high side
IGBT de forte puissance
Références bibliographiques
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ? Se connecter
Article inclus dans l'offre
"Conversion de l'énergie électrique"
(
441 articles
)
Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.
Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.
Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.
Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.
