Dimensionnement
MOSFET et IGBT : circuits de commande

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Dimensionnement
MOSFET et IGBT : circuits de commande

Auteur(s) : Stéphane LEFEBVRE, Bernard MULTON

Date de publication : 10 août 2003 | Read in english

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1. Dimensionnement

Pour les notations, le lecteur se reportera en [D 3 231, § 3] .

Bien que la commande d’un transistor MOSFET ne nécessite que l’application d’une tension constante, le circuit de commande peut être amené à délivrer transitoirement des intensités élevées (jusqu’à plusieurs ampères) et de très courtes durées (quelques 10 ns) lors des phases de commutation pour assurer la charge et la décharge de sa capacité d’entrée. Ainsi, le dimensionnement et le câblage du circuit de commande doivent être étudiés et réalisés avec soin.

Exemple

les relevés expérimentaux de la figure 

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